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继台湾与日本半导体业界研发,将带来新一代电晶体,有望实现2奈米制程消息日前曝光后,国际商业机器公司IBM今天发表号称独步全球的2奈米芯片制造技术,声称与当前主流7奈米芯片及最尖端的5奈米芯片相比较,体积更小、速度更快、效率更提高。尽管制造技术可能还要花上数年才能投入市场,但兵家必争之芯片制程已俨然开打!

IBM今天发表2奈米芯片制造技术,表示速度比今日许多笔电及手机所使用的主流7奈米芯片提升45%,能源效率提高75%;与当前最尖端的5奈米芯片相比,2奈米体积更小、速度更快。根据IBM信息,2奈米架构可以在与现有的7奈米相同的性能下,只用到25%电力,手机可能四天才需要充一次电;同时,它也能在与现有的7奈米相同的能耗下,增加45%的性能,对笔电、自驾车可能带来更高的运算力。其他包括:资料中心、太空探索、人工智能、5G、6G,乃至于量子运算都可能受惠。

Yahoo新闻评论文章指出,IBM 宣称自己打造了世界首个2奈米制程 的芯片,大幅推进了当前芯片生产技术。不过目前所谓的“几奈米”早已因为芯片由2D平面转向3D发展,过去比较零组件最小尺寸的意义已失去,更多只是一种“换代”的概念了,比较有意义的比较基准或许是单位面积的电晶体数目。IBM 的2奈米制程号称在150mm²的面积中塞入500亿个电晶体,平均每平方公厘是3.3亿个。台积电和三星的7奈米制程大约在每平方公厘是9,000 万个电晶体左右,三星的 5LPE 为1.3亿个电晶体,而台积电的5奈米则是1.7亿个电晶体。

不过,文章也指出,IBM早在2015 年就宣布试制 7奈米制程成功,但一直到去年八月才有第一个商用化产品出现,因此公布制程试制成功,和能量产依然是两码事,IBM宣示的意味比较浓厚。

目前量产的制程技术中,领先的是台积电的5奈米,由苹果的 M1、A14 芯片及华为的 Kirin 9000 所用,其次为 Samsung 的 5LPE,用在 Snapdragon 888 芯片上。各家业者芯片推进进展,台积电的4奈米与3奈米预计明年量产,而2奈米也已取得关键性的突破,离IBM并不远。反倒是英特尔的7奈米制程芯片要等到2023年才投产,慢了一步。

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(中时新闻网)

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